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STD5N52U +BOM

N-channel 525 V, 1.25 Ohm, 4.4 A, UltraFASTmesh Power MOSFET in a DPAK package

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STD5N52U
Scheda dati:

STD5N52U Scheda dati (PDF)
Series:

UltraFASTmesh™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

525 V
EDA/CAD Modelli:

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STD5N52U Descrizione generale

The STD5N52U is a cutting-edge N-channel Power MOSFET that boasts impressive features thanks to its utilization of UltraFASTmesh™ technology. This technology not only decreases on resistance, but also incorporates Zener gate protection and exceptional dv/dt capability. Additionally, the device is equipped with a quick body-drain recovery diode that enhances its overall performance

Caratteristiche principali

Immunity to electrostatic discharge
Fast recovery time guaranteed
Robustness to high temperature environments

Specifiche

Series	UltraFASTmesh™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	525 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.4A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 2.2A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.9 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	529 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	70W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD5N52

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