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STD3NK50ZT4 +BOM

N-channel 500 V, 2.8 Ohm typ., 2.3 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STD3NK50ZT4
Scheda dati:

STD3NK50ZT4 Scheda dati (PDF)
Series:

SuperMESH™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

500 V
EDA/CAD Modelli:

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STD3NK50ZT4 Descrizione generale

These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Caratteristiche principali

Superior surge tolerance
High-speed operation enabled
Voltage transient withstand capability

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Series	SuperMESH™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3Ohm @ 1.15A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD3NK50

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