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STD3N62K3 +BOM

N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package

STD3N62K3 Descrizione generale

Meet the STD3N62K3, a cutting-edge Power MOSFET from STMicroelectronics, showcasing the latest advancements in MDmesh™ K3 technology. Thanks to its optimized vertical structure, this device offers an impressively low on-resistance, superior dynamic performance, and high avalanche capability, making it perfectly suited for the most demanding applications

Caratteristiche principali

  • Fully protected against overcurrent and surge
  • High temperature stability up to 175°C
  • Silicone-coated for moisture protection
  • Compact design for PCB-friendly installation

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 620 V
Id - Continuous Drain Current 2.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 13 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 45 W
Channel Mode Enhancement Tradename MDmesh
Series STD3N62K3 Configuration Single
Fall Time 15.6 ns Height 2.4 mm
Length 6.6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 6.8 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 22 ns Typical Turn-On Delay Time 9 ns
Width 6.2 mm Unit Weight 0.011640 oz

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