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STD3N62K3 +BOM
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
DPAK-
Produttore:
STMicroelectronics
-
ProduttorePart #:
STD3N62K3
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Scheda dati:
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Technology:
Si
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Mounting Style:
SMD/SMT
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Transistor Polarity:
N-Channel
-
Number Of Channels:
1 Channel
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 7072 PZ
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STD3N62K3 Descrizione generale
Meet the STD3N62K3, a cutting-edge Power MOSFET from STMicroelectronics, showcasing the latest advancements in MDmesh™ K3 technology. Thanks to its optimized vertical structure, this device offers an impressively low on-resistance, superior dynamic performance, and high avalanche capability, making it perfectly suited for the most demanding applications
Caratteristiche principali
- Fully protected against overcurrent and surge
- High temperature stability up to 175°C
- Silicone-coated for moisture protection
- Compact design for PCB-friendly installation
Specifiche
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 620 V |
Id - Continuous Drain Current | 2.7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Qg - Gate Charge | 13 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 45 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | MDmesh |
Series | STD3N62K3 | Configuration | Single |
Fall Time | 15.6 ns | Height | 2.4 mm |
Length | 6.6 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 6.8 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
Width | 6.2 mm | Unit Weight | 0.011640 oz |
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