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STD36P4LLF6 +BOM

P-channel transistor

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STD36P4LLF6
Scheda dati:

STD36P4LLF6 Scheda dati (PDF)
Series:

STripFET™ F6
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
EDA/CAD Modelli:

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STD36P4LLF6 Descrizione generale

STD36P4LLF6 is a top-of-the-line P-channel Power MOSFET that delivers unparalleled performance thanks to its state-of-the-art STripFET™ F6 technology and unique trench gate structure. By minimizing RDS(on) values in all packages, this Power MOSFET offers exceptional efficiency and power management capabilities, making it an ideal choice for demanding applications where reliability and precision are paramount. With its cutting-edge design and innovative features, STD36P4LLF6 represents the pinnacle of power semiconductor technology

Caratteristiche principali

Unparalleled signal-to-noise ratio
Solid-state device reliability
Fast switching speed performance
Precise timing circuit accuracy

Specifiche

Series	STripFET™ F6	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.5mOhm @ 18A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2850 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD36

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