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STD16NF06LT4 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

STD16NF06LT4 Descrizione generale

Featuring a robust design capable of handling high currents, the STD16NF06LT4 MOSFET is ideal for use in power supply circuits, motor control applications, and LED lighting systems. Its low on resistance minimizes power losses and improves efficiency in high power applications. The 60V drain-source voltage rating gives designers flexibility in choosing operating voltage levels for their circuits. The 1V threshold voltage ensures reliable and consistent performance, while the 10V Rds(on) test voltage allows for accurate characterization of the transistor's on-state resistance. With a compact TO-252 package, the STD16NF06LT4 MOSFET offers a space-saving solution without compromising on performance

Caratteristiche principali

LOW THRESHOLD, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 24 A Rds On - Drain-Source Resistance 70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 7.5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 40 W
Channel Mode Enhancement Series STD16NF06L
Configuration Single Fall Time 6 ns
Forward Transconductance - Min 12 S Height 2.4 mm
Length 6.6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 30 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel Power MOSFET
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 20 ns
Typical Turn-On Delay Time 12 ns Width 6.2 mm
Unit Weight 0.011640 oz

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