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STD11NM60N +BOM

N-channel MOSFET

STD11NM60N Descrizione generale

In conclusion, the STD11NM60N Power MOSFET is a standout choice for engineers and designers seeking a high-performance, reliable, and efficient solution for their power supply and motor control systems. With its impressive specifications and unparalleled performance, it is well-suited for a wide range of industrial and automotive applications, delivering consistent and dependable operation in demanding conditions

Caratteristiche principali

  • High precision temperature sensing
  • Low noise operation mode
  • Long term reliability ensured
  • Fault tolerant circuitry design
  • Multi-functional capabilities achieved

Applicazione

  • Switching power supplies
  • Motor control
  • Lighting applications
  • Automotive systems
  • Industrial applications
  • General purpose inverters
  • Converter circuits
  • DC-DC converters
  • Uninterruptible power supplies
  • Electric vehicles

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Id - Continuous Drain Current 10 A Rds On - Drain-Source Resistance 450 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 25 V, + 25 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 90 W
Channel Mode Enhancement Series STB11NM60
Configuration Single Fall Time 12 ns
Height 2.4 mm Length 6.6 mm
Product Type MOSFET Rise Time 18.5 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 50 ns
Typical Turn-On Delay Time 22 ns Width 6.2 mm
Unit Weight 0.011640 oz

Politiche di servizio e altro

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