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STA457C +BOM

Offering a Collector Current of 4A and a Collector-Emitter Breakdown Voltage of 60V

  • Produttore:

    Sanken Electric USA Inc.

  • ProduttorePart #:

    STA457C

  • Scheda dati:

    STA457C Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Transistor Type:

    2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)

  • Current - Collector (Ic) (Max):

    4A

  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

    60V

  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

    1.5V @ 4mA, 2A

  • EDA/CAD Modelli:

    eda-cad.png Richiedi modelli CAD gratuiti per STA457C

STA457C Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 60V 4A 4W Through Hole 10-SIP

Specifiche

Transistor Type 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 4V
Power - Max 4W Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Base Product Number STA457

Politiche di servizio e altro

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