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SSM6N815R,LF +BOM

SSM6N815R,LF - N-Channel MOSFET with a Voltage Rating of 100V and Current Rating of 2A

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

SSM6N815R,LF
Scheda dati:

SSM6N815R,LF Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SSM6N815R,LF Descrizione generale

Mosfet Array 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F

Caratteristiche principali

Fast switching speed
Low leakage current
High isolation voltage

Applicazione

Aircraft navigation
Traffic control systems
Electronic devices

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	84 mOhms, 84 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	3.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.4 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	U-MOSVIII-H
Series	SSM6N815	Configuration	Dual
Forward Transconductance - Min	4.8 S, 4.8 S	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	21 ns, 21 ns
Typical Turn-On Delay Time	7.5 ns, 7.5 ns	Unit Weight	0.000705 oz

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