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SSM6K819R +BOM

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS �-H)

Produttore:

Toshiba Semiconductor
ProduttorePart #:

SSM6K819R
Scheda dati:

SSM6K819R Scheda dati (PDF)
Pin Count:

6
Released Date:

Apr 20, 2021
Last Modified Date:

Mar 7, 2023 4:10 PM UTC
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Caratteristiche principali

Characteristics
Symbol
Condition
Value
Unit
Gate threshold voltage (Max)
V
th
2.5
V
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
36.4
mΩ
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
25.8
mΩ
Input capacitance (Typ.)
C
iss
1110
pF
Total gate charge (Typ.)
Q
g
V
GS
8.5
nC

Specifiche

Pin Count	6	Released Date	Apr 20, 2021
Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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