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SQ2348ES-T1_GE3 +BOM
30V 8A 3W AEC-Q101 Certified MOSFET
SOT-
Produttore:
VISHAY SILICONIX
-
ProduttorePart #:
SQ2348ES-T1_GE3
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Scheda dati:
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Technology:
Si
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Mounting Style:
SMD/SMT
-
Transistor Polarity:
N-Channel
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Number Of Channels:
1 Channel
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 5879 PZ
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SQ2348ES-T1_GE3 Descrizione generale
Introducing the SQ2348ES-T1-GE3 small signal field-effect transistor, featuring a maximum drain current of 8A and a maximum voltage of 30V. This single-element, N-channel transistor is constructed with silicon and metal-oxide semiconductor technology. Housed in a TO-236AB package, it is halogen-free and RoHS compliant, aligning with environmental standards. With 3 pins, this transistor is a reliable component for a diverse range of electronic applications
Caratteristiche principali
- Schottky diode with high reliability
- Low current consumption and high isolation
- 100% tested for quality assurance
Applicazione
Specifiche
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 7.95 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 3 W |
Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
Tradename | TrenchFET | Series | SQ |
Configuration | Single | Fall Time | 6 ns |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 8 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 4.5 ns | Part # Aliases | SQ2348ES-T1_BE3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
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In Stock: 5.879
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