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SQ3427EEV-T1-GE3 +BOM
60V P-Channel MOSFET with 5.5A Rating
SOT236-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
SQ3427EEV-T1-GE3
-
Scheda dati:
-
Series:
TrenchFET®
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FET Type:
P-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
60 V
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 3049 PZ
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SQ3427EEV-T1-GE3 Descrizione generale
Designed for high-power applications, the SQ3427EEV-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current of 5.5A. It has an on-resistance of 0.067ohm at a test voltage of -10V and a power dissipation of 5W. With an operating temperature range from -55°C to 175°C, this MOSFET is suitable for a variety of environmental conditions. It comes in a TSOP case style with 6 pins and has an MSL rating of MSL 1 - Unlimited
Caratteristiche principali
- 1. Low leakage current
- 2. Fast switching speed
- 3. Small and compact package
- 4. High reliability
- 5. Low capacitance
Applicazione
- 1. Voltage clamping
- 2. Rectification
- 3. Switching operations in electronic circuits
- 4. Signal conditioning
- 5. Protection against ESD (Electrostatic Discharge)
Specifiche
Series | TrenchFET® | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 4.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1125 pF @ 30 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | SQ3427 |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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In Stock: 3.049
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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1+ | - | - |
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