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SI2392ADS-T1-GE3 +BOM

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin TO-236 T/R

Produttore:

VISHAY SILICONIX
ProduttorePart #:

SI2392ADS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2392ADS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

TrenchFET® power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	3.1 A
Drain-source On Resistance-Max	0.126 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	14 pF	JEDEC-95 Code	TO-236AB
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2.5 W	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn)	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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