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SI2369DS-T1-BE3 +BOM

Low on-resistance P-channel MOSFET with a 30V rating and 7.6A current capacity

Produttore:

Vishay Siliconix
ProduttorePart #:

SI2369DS-T1-BE3
Scheda dati:

SI2369DS-T1-BE3 Scheda dati (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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SI2369DS-T1-BE3 Descrizione generale

P-Channel 30 V 5.4A (Ta), 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Compact surface mount package
Improved thermal performance
Silicon-on-sapphire technology
Integrated MOSFET driver

Specifiche

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1295 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount

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