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SI2337DS-T1-GE3 +BOM
P-Channel 80 V (D-S) MOSFET
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3-
Produttore:
Vishay Siliconix
-
ProduttorePart #:
SI2337DS-T1-GE3
-
Scheda dati:
-
Series:
TrenchFET®
-
FET Type:
P-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
80 V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 6526 PZ
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SI2337DS-T1-GE3 Descrizione generale
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Caratteristiche principali
- Low power consumption
- Small form factor
- Economical pricing
Specifiche
Series | TrenchFET® | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 40 V | Power Dissipation (Max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SI2337 |
Politiche di servizio e altro
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 6.526
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,605 | $0,60 |
10+ | $0,500 | $5,00 |
30+ | $0,447 | $13,41 |
100+ | $0,396 | $39,60 |
500+ | $0,331 | $165,50 |
1000+ | $0,316 | $316,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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