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SI2333DS-T1-E3 +BOM

The SI2333DS-T1-E3 is a semiconductor device that operates at a voltage level of 12V and can handle currents up to 5.3A

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2333DS-T1-E3
Scheda dati:

SI2333DS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2333DS-T1-E3 Descrizione generale

P-Channel 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
TrenchFET® Power MOSFET

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Id - Continuous Drain Current	5.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	32 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	11.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	60 ns	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	45 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	72 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2333DS-T1-BE3 SI2333DS-T1
Unit Weight	0.000282 oz

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