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SI2323DS-T1-GE3 +BOM

Product Description: 20V P Channel MOSFETs with 3.7A current rating and 39mΩ resistance at 4.5V

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2323DS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2323DS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2323DS-T1-GE3 Descrizione generale

P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Efficient Power Conversion
High Surge Current Capability
Low EMI and RFI Performance

Applicazione

Device protection circuits
Automotive electronics
Low-power applications

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	4.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	39 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	12.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	48 ns	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	43 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	71 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-GE3
Unit Weight	0.000282 oz

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