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SI2318DS-T1-GE3 +BOM

SI2318DS-T1-GE3 comes in tape packaging, not on a reel

Produttore:

VISHAY SILICONIX
ProduttorePart #:

SI2318DS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2318DS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2318DS-T1-GE3 Descrizione generale

N-Channel 40 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Specifiche

Product Category:	MOSFET	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id - Continuous Drain Current:	3 A	Rds On - Drain-Source Resistance:	45 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Qg - Gate Charge:	10 nC	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	750 mW
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	TrenchFET
Series:	SI2	Packaging:	MouseReel
Configuration:	Single	Fall Time:	15 ns
Height:	1.45 mm	Length:	2.9 mm
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	12 ns
Factory Pack Quantity:	3000	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	5 ns	Width:	1.6 mm
Part # Aliases:	SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-GE3	Unit Weight:	0.000282 oz

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