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SI2318DS-T1-BE3 +BOM

SI2318DS-T1-BE3 is a surface mount component with high power dissipation capability

Produttore:

Vishay Siliconix
ProduttorePart #:

SI2318DS-T1-BE3
Scheda dati:

SI2318DS-T1-BE3 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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SI2318DS-T1-BE3 Descrizione generale

N-Channel 40 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	540 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)	750mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount

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