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SI2309CDS-T1-E3 +BOM

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

SI2309CDS-T1-E3 Descrizione generale

The SI2309CDS-T1-E3 transistor is a P-channel device with a drain source voltage of 60V and a continuous drain current of 1.2A. It has an on-resistance of 0.285Ohm and is designed for surface mounting. The Rds(On) test voltage is 10V, with a threshold voltage of 3V. Please note that this product is not RoHS compliant. The transistor is manufactured by Vishay and is suitable for a variety of applications where these specifications are necessary

Caratteristiche principali

  • None
  • Applicazione

    SWITCHING

    Specifiche

    Series TrenchFET® FET Type P-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 345mOhm @ 1.25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 30 V Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
    Base Product Number SI2309

    Politiche di servizio e altro

    Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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