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SI2306BDS-T1-E3 +BOM

TRANSISTOR 3160 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

Produttore:

VISHAY SILICONIX
ProduttorePart #:

SI2306BDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2306BDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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SI2306BDS-T1-E3 Descrizione generale

N-Channel 30 V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Low-loss and high-efficiency operation
Fully protected against voltage surges
Compliance with RoHS and REACH regulations

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Not Recommended
Pin Count	3	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Drain Current-Max (Abs) (ID)	3.16 A
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Qualification Status	Not Qualified
Terminal Finish	MATTE TIN	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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