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Describing a MOSFET designed for applications with voltage requirements of up to 8
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3Produttore:
Vishay Siliconix
ProduttorePart #:
SI2305ADS-T1-GE3
Scheda dati:
Series:
TrenchFET®
FET Type:
P-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
8 V
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
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Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-4100mA; Drain Source Voltage, Vds:-8V; On Resistance, Rds(on):0.088ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.8V; Power Dissipation, Pd:960mW ;RoHS Compliant: Yes
Series | TrenchFET® | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.1A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 4 V | Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SI2305 |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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