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SI2304BDS-T1-E3 +BOM

MOSFET with a voltage rating of 30V, a current rating of 3.2A, and a resistance of 0.07Ohm

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2304BDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2304BDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2304BDS-T1-E3 Descrizione generale

N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition |TrenchFET® Power MOSFET |100 % R g Tested |Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	2.6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	2.6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	750 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Forward Transconductance - Min	6 S
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	12.5 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	19 ns
Typical Turn-On Delay Time	7.5 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2304BDS-T1-BE3 SI2304BDS-E3	Unit Weight	0.000282 oz

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