Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

SI2301CDS-T1-E3 +BOM

Bulk packaging P Channel Power MOSFET with 20 V voltage rating and 3.1 A current rating

Produttore:

Vishay Siliconix
ProduttorePart #:

SI2301CDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2301CDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3 Descrizione generale

P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Applicazione

Power Management

Specifiche

Series	TrenchFET®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 2.8A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V	Power Dissipation (Max)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI2301

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..