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SI1967DH-T1-GE3 +BOM

SC70-6 MOSFET with -20V Vds and 8V Vgs ratings

SI1967DH-T1-GE3 Descrizione generale

Mosfet Array 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6

SI1967DH-T1-GE3

Caratteristiche principali

  • Halogen-free
  • PWM optimized

Applicazione

  • Industrial
  • Portable Devices
  • Power Management

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 6 Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.3 A
Drain Current-Max (ID) 1 A Drain-source On Resistance-Max 0.49 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.25 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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