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SI1304BDL-T1-E3 +BOM

Product Description: SI1304BDL-T1-E3

Produttore:

Vishay Siliconix
ProduttorePart #:

SI1304BDL-T1-E3
Scheda dati:

SI1304BDL-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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SI1304BDL-T1-E3 Descrizione generale

The SI1304BDL-T1-E3 is a reliable and efficient solution for power semiconductor needs. Its advanced design and robust construction ensure long-term performance and dependability in various industrial applications. With its impressive specifications and environmental compliance, this MOSFET is a smart choice for engineers looking to optimize power efficiency and performance in their designs

Caratteristiche principali

TrenchFET® Power MOSFET
100 % Rg Tested

Specifiche

Series	TrenchFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	900mA (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 900mA, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	340mW (Ta), 370mW (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI1304

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