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RZQ050P01 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN

Produttore:

ROHM
ProduttorePart #:

RZQ050P01
Scheda dati:

RZQ050P01 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

RZQ050P01 Descrizione generale

■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101)■ Bipolar Transistors (Surface mount type)■ Transistor Array■ Complex Bipolar Transistors■ Digital Transistors■ Complex Digital Transistors■ Packages■ Part No. Explanation ISO/TS 16949-approved

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	6	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	12 V	Drain Current-Max (ID)	5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.044 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	JESD-609 Code	e1
Number of Elements	1	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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