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RZL025P01TR +BOM

MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RZL025P01TR
Scheda dati:

RZL025P01TR Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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RZL025P01TR Descrizione generale

P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Id - Continuous Drain Current	2.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	44 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 10 V, + 10 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	13 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	85 ns	Height	0.77 mm
Length	2 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	35 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	130 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Width	1.7 mm	Part # Aliases	RZL025P01
Unit Weight	0.000300 oz

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