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QS8M51TR +BOM
Small Signal MOSFET capable of handling 100V voltage
8-SMD,FlatLead-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
QS8M51TR
-
Scheda dati:
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration:
N and P-Channel
-
FET Feature:
Logic Level Gate
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
100V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 6822 PZ
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QS8M51TR Descrizione generale
The QS8M51TR is a groundbreaking complex type MOSFET, designed to provide low ON-resistance through innovative micro-processing technologies. This allows for optimal performance across a wide range of applications, making it a versatile choice for various needs in the market. With a broad lineup that includes compact types, high-power types, and complex types, this MOSFET caters to a diverse range of requirements, ensuring that there is a suitable option for every project. Whether you're working on a compact device or a high-power application, the QS8M51TR delivers reliable and efficient performance, thanks to its advanced design and superior quality
Applicazione
SWITCHINGSpecifiche
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | N and P-Channel |
FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A, 1.5A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325mOhm @ 2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 25V, 950pF @ 25V | Power - Max | 1.5W |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | QS8M51 |
Politiche di servizio e altro
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Prodotto 365 giorni
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In Stock: 6.822
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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1+ | $0,554 | $0,55 |
10+ | $0,492 | $4,92 |
30+ | $0,463 | $13,89 |
100+ | $0,432 | $43,20 |
500+ | $0,371 | $185,50 |
1000+ | $0,362 | $362,00 |
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