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QSL12TR +BOM

Description of product QSL12TR: Bipolar transistors - BJT

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

QSL12TR
Scheda dati:

QSL12TR Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelli:

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QSL12TR Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 30 V 1 A 320MHz 500 mW Surface Mount TSMT5

Caratteristiche principali

1) Tr : Low VCE(sat)
Di : Low VF
2) Small package

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	120 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	900 mW
Gain Bandwidth Product fT	320 MHz	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	QSL12	Continuous Collector Current	1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	270	DC Current Gain hFE Max	680
Height	0.85 mm	Length	2.9 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.6 mm	Part # Aliases	QSL12
Unit Weight	0.344627 oz

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