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QS6M3TR +BOM

Dual N/ P-Channel 30 V/20 V 1.25 W 360 mOhm Drive MosFet SMT-TSMT-6

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

QS6M3TR
Scheda dati:

QS6M3TR Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

QS6M3TR Descrizione generale

MOSFET, DUAL, NP, 20V/30V, 1A; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.5A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V; Power Dissipation Pd: 900mW; Transistor Case Style: TSMT; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Continuous Drain Current Id, N Channel: 1.5A; Continuous Drain Current Id, P Channel: -1.5A; Current Id Max: 1.5A; Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30V; Drain Source Voltage Vds, P Channel: -20V; Module Configuration: Dual; On Resistance Rds(on), N Channel: 0.17ohm; On Resistance Rds(on), P Channel: 0.155ohm; Pulse Current Idm: 6A; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5V; Voltage Vgs th Max: 500mV; Voltage Vgs th Min: 1.5V

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V, 20 V
Id - Continuous Drain Current	1.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	260 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	1.6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Series	QS6M3
Configuration	Dual	Fall Time	18 ns, 12 ns
Height	0.85 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	18 ns, 12 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	15 ns, 45 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns, 10 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	QS6M3

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