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PSMN015-100P +BOM

N-Channel 100 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

PSMN015-100P
Scheda dati:

PSMN015-100P Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
Configuration:

SINGLE
Drain Current-Max (ID):

75 A
EDA/CAD Modelli:

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PSMN015-100P Descrizione generale

N-Channel 100 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

Caratteristiche principali

Low conduction losses due to low on-state resistance
Rated for avalanche ruggedness

Applicazione

DC-to-DC convertors
Switched-mode power supplies

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE
Drain Current-Max (ID)	75 A	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	230 W
Surface Mount	NO	Terminal Finish	Matte Tin (Sn)
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	75 A	Rds On - Drain-Source Resistance	15 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	300 W
Channel Mode	Enhancement	Fall Time	50 ns
Height	9.4 mm	Length	10.3 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	65 ns
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	95 ns
Typical Turn-On Delay Time	25 ns	Width	4.7 mm
Part # Aliases	PSMN015-100P,127	Unit Weight	0.068784 oz

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