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TRANSISTOR 89 A, 60 V, 0.0064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power
SOT-669-5Produttore:
ProduttorePart #:
PSMN7R0-60YS
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
Date Of Intro:
2017-02-01
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Avaq Semiconductor offre il driver PSMN7R0-60YS altamente versatile e affidabile, prodotto da NXP. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.
Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il PSMN7R0-60YS.
Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.
Source Content uid | PSMN7R0-60YS | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Date Of Intro | 2017-02-01 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 143 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (ID) | 89 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0064 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | MO-235 | JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 356 A |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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