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PSMN7R0-60YS +BOM

TRANSISTOR 89 A, 60 V, 0.0064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power

  • Produttore:

    NXP

  • ProduttorePart #:

    PSMN7R0-60YS

  • Scheda dati:

    PSMN7R0-60YS Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Part Life Cycle Code:

    Active

  • Reach Compliance Code:

    not_compliant

  • ECCN Code:

    EAR99

  • Date Of Intro:

    2017-02-01

Avaq Semiconductor offre il driver PSMN7R0-60YS altamente versatile e affidabile, prodotto da NXP. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il  PSMN7R0-60YS.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Source Content uid PSMN7R0-60YS Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Date Of Intro 2017-02-01 Avalanche Energy Rating (Eas) 143 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (ID) 89 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0064 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MO-235 JESD-30 Code R-PSSO-G4
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 356 A
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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