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Vedi Specifiche Tecniche

PSMN059-150Y +BOM

Advanced Trans MOSFET technology enables high voltage and current handling

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

PSMN059-150Y
Scheda dati:

PSMN059-150Y Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

255 mJ

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

PSMN059-150Y Descrizione generale

SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Caratteristiche principali

Higher operating power due to low thermal resistance
Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

Applicazione

Class D amplifier
DC-to-DC converters
Motion control
Switched-mode power supplies

Specifiche

Source Content uid	PSMN059-150Y	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	255 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	43 A	Drain-source On Resistance-Max	0.059 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	MO-235
JESD-30 Code	R-PSSO-G4	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	129 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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