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NTE2987 +BOM

The NTE2987 is characterized as a N-channel MOSFET rated for 100 volts and 20 amps, enclosed within a TO-220 package comprising three pins and a tab

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

NTE2987
Scheda dati:

NTE2987 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

20A
EDA/CAD Modelli:

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NTE2987 Descrizione generale

N-Channel 100 V 20A 105W (Tc) Through Hole TO-220

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±15V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 25 V
FET Feature	Logic Level Gate, 4V Drive	Power Dissipation (Max)	105W (Tc)
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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