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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 800 mW Through Hole TO-39
CANProduttore:
ProduttorePart #:
NTE123
Scheda dati:
Launch_date:
Jul 7, 2006
Last_inspection_date:
15 OCT 2022
Supplier_cage_code:
7T184
Htsusa:
8541210095
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 800 mW Through Hole TO-39
place | launch_date | Jul 7, 2006 | |
last_inspection_date | 15 OCT 2022 | supplier_cage_code | 7T184 |
htsusa | 8541210095 | schedule_b | 8541210080 |
ppap | aec | ||
Series | - | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | Power - Max | 800 mW |
Frequency - Transition | 300MHz | Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
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The module connects well with all mobile networks but it does not send or receive sms. i supplied it with the recommended 5V and 2A but it work as described.