Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET
TO-220-3Produttore:
ProduttorePart #:
NTE2984
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
17A (Tc)
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su NTE2984. Risposta garantita entro
12hr.
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
The NTE2984 is a versatile PNP silicon transistor that excels in a variety of general-purpose amplifier applications. With its high current gain and low saturation voltage, this transistor is a reliable choice for signal amplification circuits across a wide range of settings
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 8.5A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
Vgs (Max) | ±10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 60W | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.