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NTE2381 +BOM

Unipolar P-MOSFET transistor designed for operation at voltages as low as -500V, with a continuous drain current of -2

Produttore:

Nte Electronics
ProduttorePart #:

NTE2381
Scheda dati:

NTE2381 Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8541.29.00.95
Automotive:

No
PPAP:

No
EDA/CAD Modelli:

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NTE2381 Descrizione generale

P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220

Caratteristiche principali

NTE23A1: High power dual OP amp
Operates from -40°C to 105°C
High output current and gain bandwidth

Applicazione

Automotive sector for environmental monitoring
Industrial control for temperature monitoring

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95	Automotive	No
PPAP	No	Category	Power MOSFET
Material	Si	Configuration	Single
Process Technology	TMOS	Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P	Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	500	Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	5	Maximum Continuous Drain Current (A)	2.7
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100	Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	4900@10V	Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	18@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	18	Typical Gate to Drain Charge (nC)	9.2
Typical Gate to Source Charge (nC)	3.6	Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	510@25V
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	9.5@25V	Minimum Gate Threshold Voltage (V)	3
Typical Output Capacitance (pF)	70	Maximum Power Dissipation (mW)	85000
Typical Fall Time (ns)	100	Typical Rise Time (ns)	120
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	80	Typical Turn-On Delay Time (ns)	35
Minimum Operating Temperature (°C)	-65	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)	3900@10V	Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	30
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	10.8	Typical Reverse Recovery Time (ns)	270
Maximum Diode Forward Voltage (V)	2.7	Mounting	Through Hole
PCB changed	3	Tab	Tab
Pin Count	3	Lead Shape	Through Hole

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