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NTE2365 +BOM

Silicon Power Bipolar Transistor (NPN) with 12A Collector Current and 800V Breakdown Voltage, Encapsulated in Plastic/Epoxy

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

NTE2365
Scheda dati:

NTE2365 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

800 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

5V @ 2.5A, 10A
EDA/CAD Modelli:

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NTE2365 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 15 A 180 W Through Hole TO-3PBL

Specifiche

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	800 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	5V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 1A, 5V
Power - Max	180 W	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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