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NTE2329 +BOM

The transistor has a current gain of 55 at 1A and a maximum current rating of 5V at 15A

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

NTE2329
Scheda dati:

NTE2329 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

200 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

3V @ 1A, 10A
EDA/CAD Modelli:

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NTE2329 Descrizione generale

The NTE2329 silicon NPN transistor is a versatile component, suitable for a wide range of applications due to its high collector current rating of 10A and a collector-emitter voltage rating of 500V. With a power dissipation of 130W, this transistor is designed to handle high-power levels without overheating, thanks to its TO-3 package with a built-in heat sink for efficient heat dissipation. Its high current gain and low saturation voltage make it ideal for various high-power applications, delivering reliable performance under demanding conditions

Specifiche

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	200 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	5µA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	55 @ 1A, 5V
Power - Max	150 W	Frequency - Transition	25MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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