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NTE2018 +BOM

Description of NTE2018: This device is a Power Bipolar Transistor characterized by a 0

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

NTE2018
Scheda dati:

NTE2018 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

8 NPN Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.6V @ 350mA, 500A
EDA/CAD Modelli:

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NTE2018 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP

Specifiche

Transistor Type	8 NPN Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 350mA, 500A
Power - Max	1W	Operating Temperature	-20°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	NTE20

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