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NTE108-1 +BOM

RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 625mW Through Hole TO-106

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

NTE108-1
Scheda dati:

NTE108-1 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

15V
Frequency - Transition:

600MHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

6dB @ 60MHz
EDA/CAD Modelli:

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NTE108-1 Descrizione generale

RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 625mW Through Hole TO-106

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V	Frequency - Transition	600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	6dB @ 60MHz	Gain	15dB
Power - Max	625mW	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 8mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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