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NSVF4009SG4T1G +BOM

RF Transistor for Low Noise Amplifier

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NSVF4009SG4T1G
Scheda dati:

NSVF4009SG4T1G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

419AR
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Technology:

Si
EDA/CAD Modelli:

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NSVF4009SG4T1G Descrizione generale

The NSVF4009SG4T1G's design and construction make it an excellent choice for use in applications where low noise amplification is crucial. Its superior heat radiation characteristics ensure that it can perform reliably and consistently even in high temperature environments. This makes it a versatile and dependable option for a wide range of uses

Caratteristiche principali

Low-noise use : NF = 1.1 dB (typ) [f = 2 GHz]
High cut-off frequency : fT = 25 GHz (typ) [VCE = 3 V]
High gain : |S21e|² = 17 dB (typ) [f = 2 GHz]
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Low operating voltage
MCPH4 package is pin-compatible with SC-82FL

Applicazione

Low Noise Amplifier

Specifiche

Status	Active	Case Outline	419AR
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	RF Bipolar Transistors	Technology	Si
Qualification	AEC-Q101	Product Type	RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Unit Weight	0.000233 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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