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NSVF3007SG3T1G +BOM

RF Transistor for Low Noise Amplifier

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NSVF3007SG3T1G
Scheda dati:

NSVF3007SG3T1G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

419AQ
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL

NSVF3007SG3T1G Descrizione generale

With AEC-Q101 qualification and PPAP capability, this RF transistor is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. This means that it has undergone extensive testing and validation to ensure it meets the highest standards for performance and reliability in automotive settings. Customers can trust in the quality and durability of the NSVF3007SG3T1G for their automotive projects

Caratteristiche principali

Low-noise use : NF = 1.2 dB (typ) [f = 1 GHz]
High cut-off frequency : fT = 8 GHz (typ) [VCE = 5 V]
High gain : |S21e|² = 12 dB (typ) [f = 1 GHz]
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
MCPH3 package is pin-compatible with SC-70FL
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Low current operating

Applicazione

Low Noise Amplifier
RF Amplifier

Specifiche

Status	Last Shipments	Case Outline	419AQ
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..