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NSVJ5908DSG5T1G +BOM
N-Channel JFET, -15 V, 10 to 32 mA, 35 mS, Dual
MCPH-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
NSVJ5908DSG5T1G
-
Scheda dati:
-
Case Outline:
419AP
-
MSL Temp (°C):
260
-
Container Type:
REEL
-
Technology:
Si
Disponibilità: 4137 PZ
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NSVJ5908DSG5T1G Descrizione generale
The NSVJ5908DSG5T1G is an AEC-Q101 qualified JFET that is ideal for automotive applications. With high gain performance and PPAP capability, this JFET is ready to meet the challenges of compact and efficient automotive designs. Engineers can trust in the reliability and quality of this JFET, knowing that it has been specifically designed to excel in automotive applications
Caratteristiche principali
- Composite type with 2 JFET contained
- Large forward transfer admittance | yfs | and low noise figure NF
- The NSVJ5908DSG5 is formed with two chips, being equivalent to the NSVJ3557SA3, placed in MCPH5 package.
- Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- High power dissipation
Applicazione
- AM Tuner RF Amplifier
- Low Noise Amplifier
Specifiche
Status | Active | Case Outline | 419AP |
MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
Product Category | JFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Configuration | Dual | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 15 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 15 V | Gate-Source Cutoff Voltage | - 700 mV |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 32 mA | Id - Continuous Drain Current | 50 mA |
Pd - Power Dissipation | 300 mW | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Qualification | AEC-Q101 |
Forward Transconductance - Min | 24 mS | Product Type | JFETs |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | Transistors |
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