Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
SOT563Produttore:
ProduttorePart #:
NSBC114YPDXV6T1G
Scheda dati:
Transistor Type:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
50V
Resistor - Base (R1):
10kOhms
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su NSBC114YPDXV6T1G. Risposta garantita entro
12hr.
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
The NSBC114YPDXV6T1G silicon NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) is a versatile component ideal for high-speed switching applications. With a maximum collector current of 2A and maximum collector-base voltage of 120V, this transistor offers reliable performance in a compact SOT-223 package. Its fast switching speed and low saturation voltage make it a valuable asset in power supplies, motor control, voltage regulators, and various other switching circuits where efficiency and speed are paramount
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | Series | - |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Frequency - Transition | - | Power - Max | 500mW |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | NSBC114 |
Product Category | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Configuration | Dual |
Transistor Polarity | PNP | Typical Input Resistor | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 0.21 | Mounting Style | SMD/SMT |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 80, 140 | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Continuous Collector Current | 100 mA | Peak DC Collector Current | 100 mA |
Pd - Power Dissipation | 357 mW | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | DC Current Gain hFE Max | 80 |
Height | 0.55 mm | Length | 1.6 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | Factory Pack Quantity | 4000 |
Subcategory | Transistors | Width | 1.2 mm |
Unit Weight | 0.000106 oz |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
If they wrote that the original, then the original must be expelled.