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MJL4281A +BOM

The MJL4281A and MJL4302A Bipolar Complementary Audio Power Transistors are power transistors for high power audio.

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

MJL4281A
Scheda dati:

MJL4281A Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

350 V
EDA/CAD Modelli:

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MJL4281A Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 15 A 35MHz 230 W Through Hole TO-264

Caratteristiche principali

- Low Thermal Runaway
- High Surge Current Handling
- Fast Response Time
- Wide Operating Temperature Range
- Low Dropout Voltage
- High PSRR

Applicazione

Advanced audio technology
Audiophile-grade amplifier
Extreme power output

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	350 V	Collector- Base Voltage VCBO	350 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	15 A	Pd - Power Dissipation	230 W
Gain Bandwidth Product fT	35 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	15 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	80	Height	26.4 mm
Length	20.3 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	5.3 mm
Unit Weight	0.352740 oz

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