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MJ10009 +BOM

The MJ10009 is an NPN transistor with a high collector-emitter voltage of 500V and a power dissipation of 175W

Produttore:

NTE Electronics, Inc
ProduttorePart #:

MJ10009
Scheda dati:

MJ10009 Scheda dati (PDF)
Number Of Pins:

3
Collector Emitter Breakdown Voltage:

500 V
Collector Emitter Voltage (VCEO):

500 V
Max Operating Temperature:

200 °C
EDA/CAD Modelli:

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MJ10009 Descrizione generale

The MJ10009 is a high-power NPN transistor that offers a collector-emitter voltage rating of 500V and a maximum collector current of 20A, making it suitable for demanding industrial and automotive applications. Its through-hole mounting and 2-pin design simplify installation, while its RoHS compliance ensures that it meets current environmental regulations. With a maximum operating temperature of 200°C, this transistor can withstand high-temperature environments without sacrificing performance. For high-voltage, high-current applications, the MJ10009 is a reliable and durable choice

Specifiche

Number of Pins	3	Collector Emitter Breakdown Voltage	500 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)	500 V	Max Operating Temperature	200 °C
Max Power Dissipation	175 W	Min Operating Temperature	-65 °C
Polarity	NPN	Series	SWITCHMODE
Transistor Type	NPN - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3.5V @ 2A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max)	5mA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40A @ 5A, 5V
Power - Max	175 W	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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