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MJ802 +BOM

90V 200W [email protected],2V 30A NPN TO-204(TO-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

MJ802
Scheda dati:

MJ802 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

90 V
EDA/CAD Modelli:

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MJ802 Descrizione generale

This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100¿Watts music power per channel.

Caratteristiche principali

High DC Current Gain - h_FE = 25-100 @ I_C = 7.5 A
Excellent Safe Operating Area
Complement to the PNP MJ4502
Pb-Free Package is Available

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	90 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	800 mV
Maximum DC Collector Current	30 A	Pd - Power Dissipation	200 W
Gain Bandwidth Product fT	2 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	30 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25	Height	8.51 mm
Length	39.37 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	26.67 mm
Unit Weight	0.056438 oz

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