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MAGX-000035-01000P +BOM

RF JFET Transistors DC-3.5GHz Gain 14dB GaN SiC

Produttore:

MACOM Technology Solutions
ProduttorePart #:

MAGX-000035-01000P
Scheda dati:

MAGX-000035-01000P Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN-on-SiC
Operating Frequency:

3.5 GHz
Gain:

14 dB
EDA/CAD Modelli:

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MAGX-000035-01000P Descrizione generale

RF Mosfet 50 V 30 mA 3.5GHz 17dB 10W

MACOM Technology Solutions Stock originale

Specifiche

Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	HEMT
Technology:	GaN-on-SiC	Operating Frequency:	3.5 GHz
Gain:	14 dB	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	65 V	Id - Continuous Drain Current:	500 mA
Output Power:	10 W	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 95 C	Pd - Power Dissipation:	12 W
Mounting Style:	SMD/SMT	Packaging:	Tray
Configuration:	Single	Forward Transconductance - Min:	0.2 S
Operating Temperature Range:	- 40 C to + 95 C	Product Type:	RF JFET Transistors
Series:	MAGX	Factory Pack Quantity:	100
Subcategory:	Transistors	Type:	GaN SiC HEMT

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