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MAPR-000912-500S00 +BOM

RF Bipolar Transistors 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min

Produttore:

MACOM Technology Solutions
ProduttorePart #:

MAPR-000912-500S00
Scheda dati:

MAPR-000912-500S00 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80V
Gain:

9.44dB ~ 9.77dB
Power - Max:

500W

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

MAPR-000912-500S00 Descrizione generale

RF Transistor NPN 80V 52.5A 500W Chassis Mount

Caratteristiche principali

NPN Silicon Microwave Power Transistor
Internal Input and Output Impedance Matching
Gold Metallization System
Diffused Emitter Ballasting Resistors
High Efficiency Inter-Digitized Geometry
Broadband Class C Operation
Common Base Configuration
Hermetic Metal/Ceramic Package
RoHS compliant
Aerospace and Defense
ISM

MACOM Technology Solutions Stock originale

Applicazione

Gain: 9 dB
Efficiency: 45 %
Bias Voltage: 50 V
Pout: 500 W
Min Frequency: 960 MHz
Max Frequency: 1,215 MHz

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Frequency - Transition	-	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	9.44dB ~ 9.77dB	Power - Max	500W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-	Current - Collector (Ic) (Max)	52.5A
Operating Temperature	200°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	MAPR-000912

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